세계 최대의 반도체업체인 인텔과 IBM이 한층 빠르고 에너지효율이 높은 차세대 트랜지스터 기술을 개발했다고 발표했다.

27일(현지시간) 뉴욕타임스 등 언론 보도에 따르면 인텔은 속도가 한층 빠르고 크기가 적으며 처리 효율이 높은 획기적인 트랜지스터 기술을 개발했다면서 캘리포니아주 샌타클래라에서 신기술을 적용한 트랜지스터로 만들어진 실용모델을 선보였다.

인텔은 트랜지스터의 게이트 전극에 이산화규소 게이트 대신 하프늄을 사용, 필요 전력을 이전 제품에 비해 30% 정도 감소시킨 반면 성능은 20% 정도 향상시킬 수 있게 됐다면서 올해 선보일 예정인 45 나노미터 디자인에 신기술이 적용될 것이라고 밝혔다.

폴 오텔리니 인텔 최고경영자(CEO)는 이번 개발은 인텔의 기술력 우위를 보여주는 것인 동시에 기술력의 우위가 앞으로도 계속될 수 있다는 것을 입증한 것이라면서 올해 안에 신기술이 적용된 일부 제품을 시판할 것이라고 말했다.

이와 관련, 업계 전문가들은 이번 개발이 컴퓨터 칩용 트랜지스터 기술개발 면에서 40여년만에 가장 큰 변화를 가져올 것이라면서 반도체업체들이 앞으로도 작고 효율적인 반도체 개발을 이어나갈 수 있는 토대가 될 것이라고 기대감을 표시했다.

한편 세계 최대의 컴퓨터 서비스업체인 IBM도 내년부터 일부 칩의 트랜지스터에 메탈 게이트를 사용할 계획이라고 밝혔다.

버니 마이어슨 IBM 수석기술책임자는 10여년간에 걸친 노력 끝에 트랜지스터에 사용될 새로운 물질을 개발했다면서 이같이 말했으나 새로 개발한 물질이 무엇인지에 대해서는 공개하지 않았다.

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