국내 연구진이 군사용 레이더에 쓰이는 고출력 전력소자를 국산화하는 데 성공했다.

외산 장비를 대체하고 일본 수출규제 대응에도 기여할 것으로 기대된다.

한국전자통신연구원(ETRI)은 5일 S-대역에서 쓰이는 200W(와트)급 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 개발했다고 밝혔다.

S-대역은 3∼4㎓(기가헤르츠) 주파수 대역이다. 군사용 레이더나 5세대(G) 이동통신 기지국 증폭기 등이 S-대역을 사용한다.

특히 군사용 레이더는 정밀한 탐지를 위해 높은 출력을 내는 전력소자를 필요로 하는데, 실리콘이나 탄화규소 같은 기존 전력 소자로는 충분한 출력을 내기 어려웠다.

연구원은 차세대 반도체 소자로 주목받는 질화갈륨을 이용해 전력소자 칩을 개발했다.

질화갈륨은 전력 밀도가 높고 열 전도도가 뛰어나지만, 기술력과 가격 경쟁력을 갖춘 곳이 국내에 없어 군수·방산업계는 전량 외산 장비를 수입해 사용해 왔다.

이번에 개발한 가로 0.78㎜, 세로 26㎜ 크기 전력소자 칩의 성능은 200W급으로, 미국 울프스피드나 일본 수미토모 등 세계 최고 반도체 회사와 비슷한 수준이라고 연구원은 설명했다.

군사용 레이더뿐만 아니라 차세대 이동통신 기지국과 중계기, 선박·차량용 레이더, 위성통신 등에 활용할 수 있을 것으로 기대된다.

강동민 ETRI RF/전력부품연구실장은 "반도체 핵심 부품인 전력소자를 국산화함으로써 일본 수출 규제에 대응할 수 있을 것"이라고 기대했다.