S/I/M 뉴스레터로 알아보는 트랜지스터 발명의 우연과 나비효과

기획·칼럼

S/I/M 뉴스레터로 알아보는 트랜지스터 발명의 우연과 나비효과
[과학기술문화 기업사회공헌] S/I/M 온라인 콘텐츠

2021.10.20 09:00 삼성이노베이션뮤지엄

국내 최대 규모의 전자산업사 박물관 삼성이노베이션뮤지엄(S/I/M)은 초기 과학 발명가와 기업이 구축한 전자산업의 역사부터 미래까지 한눈에 볼 수 있는 박물관입니다.

학생과 가족 단체를 비롯하여 전 연령층이 즐길 수 있는 콘텐츠와 프로그램을 운영하고 다양한 사회공헌 활동을 통해 사회와의 소통을 적극적으로 이어가고 있습니다.

지난주에는 ‘세상을 바꾼 전자산업사 이야기’의 다섯 번째 영상 ‘윌리엄 쇼클리와도체’반도체를 통해 반도체의 역사를 알아보았는데요. 이번에는 S/I/M 뉴스레터를 통해 트랜지스터 발명의 우연과 나비효과에 대해 알아볼까요? [S/I/M 뉴스레터 보러 가기]

ⓒ삼성이노베이션뮤지엄

우리가 일상에서 사용하는 TV, PC, 모바일과 같은 전자기기를 구성하는 기본 소자는 다름 아닌 트랜지스터입니다. 집적회로, 마이크로프로세서, 메모리 등을 만드는 기본 구성이기도 한 트랜지스터는 1947년 벨 연구소의 윌리엄 쇼클리(William Shockley), 월터 브래튼(Walter Brattain), 존 바딘(John Bardeen) 3인이 발명하였으며 이 세 사람은 공로를 인정받아 1956년 노벨물리학 상을 수상하기도 했습니다.

트랜지스터 발명은 세 사람의 천재적인 재능과 노력 외에도 우연과 실수라는 요소가 작용했다는 사실 알고 계신가요? 3인의 과학자는 진공관 다이오드를 대체할 수 있는 반도체 개발을 위해 실리콘과 게르마늄 소재로 수많은 실험을 했지만 원하는 결과를 얻지 못하였습니다.

그러던 중 게르마늄에서 자연적으로 형성되는 얇은 산화 막을 실수로 씻어내어 금 접촉 단자가 게르마늄에 직접 연결되는 사고가 발생했는데요. 우연의 사고를 통해 게르마늄 반도체 표면에 두 개의 회로가 근접하면 전류가 증폭되는 것을 발견하게 되면서 트랜지스터 발명의 실마리를 풀 수 있었습니다.

이후 윌리엄 쇼클리는 실리콘을 활용한 트랜지스터 개발을 위해 1956년 미국 캘리포니아 마운틴뷰에 반도체 연구소(Shockley Semiconductor Laboratory)를 설립하는데요. ‘실리콘’은 이때부터 첨단 기술을 일컫는 말로 통용되었고, ‘실리콘 밸리’의 역사가 시작되어 오늘날 세계적인 반도체 회사의 탄생으로 이어집니다.

이렇듯 트랜지스터는 단순한 발명이 아닌 과학적 패러다임의 혁명이라고 볼 수 있을 만큼 큰 파급효과를 불러 일으켰습니다.

S/I/M 뉴스레터 18호 ‘트랜지스터 발명의 우연과 나비효과’ 칼럼을 통해 알아본 트랜지스터 발명의 비하인드 스토리와 그 영향력 어떠셨나요?

2018년 2월부터 발행을 시작한 S/I/M 뉴스레터는 두 달에 한 번씩 격월로 발행되는 소식지로 다양한 과학기술과 역사 이야기를 소개할 뿐만 아니라 삼성이노베이션뮤지엄의 신규 프로그램, 소식 등을 전하고 있습니다.

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