신소재 무선부품 ‘질화갈륨 반도체 집적회로’ 국산화 추진

국방부-산업통상자원부, 제7회 국방산업발전협의회 개최

정부가 신소재를 사용한 무선 부품인 ‘X-밴드 질화갈륨(GaN) 반도체 집적회로(MMIC)’의 국산화를 추진한다.

산업통상자원부와 방위사업청은 19일 방산분야 소재부품기술 개발사업의 후보 과제로 ‘X-밴드 GaN 반도체 MMIC’ 개발 과제를 선정했다고 밝혔다.

‘X-밴드 GaN 반도체 MMIC’는 한국형 전투기(KF-X) 등에 장착되는 레이더, 위성통신, 이동통신 등의 핵심 무선 부품이다. 신소재인 GaN을 활용해 기존 실리콘 소재 제품보다 소형화와 저전력 고효율 기술 구현이 가능하다.

5G 통신장비에도 활용할 수 있는 고부가가치 핵심기술로 2019년 1억4천500만 달러이던 세계 시장 규모는 2025년 8억600만 달러 수준으로 5배 이상 성장할 전망이라고 산업부는 전했다.

한편 산업부와 국방부는 이날 방사청, 과학기술정보통신부, 중소벤처기업부, 코트라 관계자 등이 참석한 가운데 제7회 국방산업발전협의회를 비대면으로 열었다.

성윤모 산업부 장관과 서욱 국방부 장관이 공동 주재한 회의에서는 X-밴드 GaN 반도체 부품 국산화 추진 방안, 수출용 무기체계 군 시범운용 확대 방안, 미래국방 기술 확보를 위한 기초·원천 연구개발(R&D) 연계방안 등이 논의됐다.

성윤모 장관은 모두발언에서 “‘미래국방 기초·원천 R&D 로드맵’이 국내 방위산업을 선진국을 따라가는 추격형 산업에서 세계 시장을 먼저 주도하는 선도형 산업으로 전환하는 가이드가 되어 줄 것”이라고 기대했다.

서욱 장관은 “군은 첨단기술의 시험장이 돼 민간의 우수 기술을 국방 분야에 신속하게 적용하고 파급력 있는 첨단 국방기술은 다시 민간에 적극적으로 이전해 산업경쟁력과 국방력을 동시에 강화하는 ‘시너지 효과’를 창출해 나가겠다”고 밝혔다.

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